- IGP20N60H3HK
- 9800
- Infineon Technologies
- 12+
- TO-220AB
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功能描述：IGBT 晶体管 Discrete Semiconductor Pr
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V
集电极—射极饱和电压：2.3 V
栅极/发射极最大电压：20 V
在25 C的连续集电极电流：150 A
栅极—射极漏泄电流：400 nA
功率耗散：187 W
最大工作温度：
封装 / 箱体：TO-247
封装：Tube